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參數(shù)資料
| 型號： | MTP3N120E |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM |
| 中文描述： | 3 A, 1200 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 252K |
| 代理商： | MTP3N120E |
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
1.0
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
t, TIME (s)
120
100
40
0
25
50
75
100
125
150
100
10
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1,000
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Starting Junction Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
A
I
Figure 13. Thermal Response
ID = 3 A
80
60
20
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.02
10,000
0.01
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
100
μ
s
1 ms
10 ms
r
T
10
μ
s
dc
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP3N25E | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM |
| MTP3N50E | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS |
| MTP3N50 | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS |
| MTP3N60E | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS |
| MTP40N10E | CONNECTOR ACCESSORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTP3N25E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM |
| MTP3N35 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V |
| MTP3N40 | 制造商:n/a 功能描述:3N40 S8H2A |
| MTP3N50 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS |
| MTP3N50E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:UNBRANDED 功能描述:MOSFET, N TO-220 |
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