參數資料
型號: MTP3N100E
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: JFETs
英文描述: TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM
中文描述: 3 A, 1000 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 206K
代理商: MTP3N100E
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
相關PDF資料
PDF描述
MTP3N120E TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
MTP3N25E TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM
MTP3N50E TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
MTP3N50 TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
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