參數(shù)資料
型號： MTP2N50E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM
中文描述： 2 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： CASE 221A-06, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： MTP2N50E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
10
1000
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
10
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.01
25
50
75
100
125
80
ID = 2 A
1
0.1
1
100
150
t, TIME (ms)
Figure 13. Thermal Response
r
T
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Fifgure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1 ms
10 ms
100
μ
s
dc
60
40
20
0
1
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
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PDF描述
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MTP2P50E 功能描述:MOSFET 500V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTP2P50E_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
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