參數(shù)資料
型號(hào)： MTP2N50E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM
中文描述： 2 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： CASE 221A-06, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 244K
代理商： MTP2N50E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
R
0
2
4
6
8
20
0
1
2
3
4
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4
0
2
4
6
8
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4
2.6
3
3.4
3.8
4.2
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.4
0.8
1.2
1.6
2
1
10
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I
TJ = 25
°
C
VDS
≥
10 V
TJ = –55
°
C
25
°
C
100
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 0 V
VGS = 10 V
VGS = 10 V
VGS = 10 V
ID = 2 A
10
12
14
16
18
6 V
5 V
3.5
2.5
1.5
0.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
1
3
5
7
3.6
2.8
2
1.2
0.4
25
°
C
–55
°
C
VGS = 10 V
15 V
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
100
50
150
200
250
500
300
350
400
450
TJ = 125
°
C
100
°
C
25
°
C
0.4
1.2
2
2.8
3.6
8 V
7 V
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PDF描述
MTP2N60 TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
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MTP2P50 TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
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MTP2P50E_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
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