參數(shù)資料
型號(hào)： MTP1N50E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
中文描述： 1 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： MTP1N50E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–02
t,TIME (ms)
0.1
1.0
0.01
1.0E–03
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.02
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1000
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
10
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.01
0
25
50
75
100
125
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
50
30
20
10
ID = 1 A
40
1.0
1.0
100
150
Figure 13. Thermal Response
r
T
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
10 ms
1 ms
dc
100
μ
s
10
μ
s
0.1
D = 0.5
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PDF描述
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