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參數(shù)資料
| 型號： | MTP15N06VL |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM |
| 中文描述： | 15 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | MTP15N06VL |
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP15N08EL | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
| MTP16N25E | TMOS POWER FET 16 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
| MTP1N100E | TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM |
| MTP1N50E | TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM |
| MTP1N60 | Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTP15N08EL | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
| MTP15N15 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTP162M3 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET |
| MTP16N25E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MTP187M006P1B | 制造商:Mallory Sonalert Products Inc 功能描述:Cap Tant Wet 180uF 6V 20% (3.68 X 15.24mm) Axial 3.4 Ohm 85°C |
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