型號(hào): | MTM8N60 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
中文描述: | 8 A, 600 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
文件頁(yè)數(shù): | 2/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 386K |
代理商: | MTM8N60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MTH8N55 | Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
MTH8N60 | Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
MTP15N05E | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
MTP15N06VL | TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.085 OHM |
MTP15N08EL | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MTM8P08 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
MTM8P10 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
MTM-90 | 制造商:Mipro Electronics Co 功能描述:WIRELESS INTERLINK TRANSMITTER FOR MA-808PA / 708PA |
MTM981400BBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MTM982400BBF | 功能描述:MOSFET NCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |