- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄371151 > MTH8N50E (Motorola, Inc.) TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MTH8N50E |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 中文描述： | TMOS是電子高能功率場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)模式硅柵 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大小： | 631K |
| 代理商： | MTH8N50E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MTH8N90 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS |
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