參數(shù)資料
型號(hào)： MTE50N50
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS
中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型硅門(mén)的TMOS
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 396K
代理商： MTE50N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTE60N35 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS
MTE60N40 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS
MTH15N35 N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS
MTH15N40 N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS
MTH8N35 Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTE5270N 功能描述:Visible Emitter 527nm 2.7V 150mA 26mW/sr @ 50mA 18° TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:可見(jiàn) 電流 - DC 正向（If）:150mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:26mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):527nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 視角:18° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
MTE5270P 功能描述:Visible Emitter 527nm 2.7V 150mA 6° TO-18-2 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:可見(jiàn) 電流 - DC 正向（If）:150mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):527nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 視角:6° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-18-2 金屬罐 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
MTE5270P-C 功能描述:EMITTER 5MM 527NM TO18 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:可見(jiàn) 電流 - DC 正向（If）:150mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:- 波長(zhǎng):527nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 視角:12° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-18-2 金屬罐 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MTE53N50E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
MTE5900M3A_UY 制造商:MARKTECH 制造商全稱(chēng):Marktech Corporate 功能描述:Peak Emission Wavelength: 590nm
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