型號(hào): | MTE50N45 |
廠商: | Motorola, Inc. |
英文描述: | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
中文描述: | 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型硅門的TMOS |
文件頁(yè)數(shù): | 7/7頁(yè) |
文件大小: | 396K |
代理商: | MTE50N45 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MTE50N50 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
MTE60N35 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
MTE60N40 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
MTH15N35 | N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS |
MTH15N40 | N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MTE50N50 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS |
MTE5270N | 功能描述:Visible Emitter 527nm 2.7V 150mA 26mW/sr @ 50mA 18° TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:可見 電流 - DC 正向(If):150mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):26mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):527nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.7V 視角:18° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 |
MTE5270P | 功能描述:Visible Emitter 527nm 2.7V 150mA 6° TO-18-2 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:可見 電流 - DC 正向(If):150mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):- 波長(zhǎng):527nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.7V 視角:6° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-18-2 金屬罐 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 |
MTE5270P-C | 功能描述:EMITTER 5MM 527NM TO18 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:可見 電流 - DC 正向(If):150mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):- 波長(zhǎng):527nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.7V 視角:12° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-18-2 金屬罐 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
MTE53N50E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM |