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參數(shù)資料
| 型號： | MTD3055E1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount |
| 中文描述： | TMOS是四N溝道增強，表面或插入式電源場效應晶體管的DPAK山 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | MTD3055E1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3055E | TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount |
| MTD4P05 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD4P06 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTD5N05 | Power Field Effect Transistors |
| MTD5N05-1 | Power Field Effect Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTD3055EL | 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA |
| MTD3055ELT4 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:3055ELT4 |
| MTD3055V | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MTD3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTD3055V1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
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