參數(shù)資料
型號(hào)： MTD20P03
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
中文描述： TMOS是功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯電平19安培，30伏的RDS（on）\u003d 0.099歐姆
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 244K
代理商： MTD20P03
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
R
ID
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID
ID
0
3
2
5
1
4
0
8
16
24
40
Figure 1. On–Region Characteristics
0
8
24
32
40
Figure 2. Transfer Characteristics
0
8
16
28
40
0.06
0.08
0.12
0.14
0.16
0.06
0.08
0.12
0.16
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.8
– 50
0.9
1.0
1.1
1.3
1
100
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
32
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
5.5
VDS
≥
5 V
100
°
C
25
°
C
0.10
VGS = 5 V
– 55
°
C
25
°
C
0
16
32
40
0.14
0.10
– 25
0
25
50
75
100
125
150
1.2
0
4
12
28
32
20
VGS = 0 V
TJ = 125
°
C
TJ = – 55
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 5 V
VGS = 5 V
ID = 10 A
1.5
2.5
3.5
4.5
10
8
24
16
VGS = 10 V
8 V
6 V
2.5 V
3 V
TJ = 25
°
C
4 V
3.5 V
4.5 V
5 V
100
°
C
16
4
12
24
36
12
28
36
20
32
8
24
4
20
10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD20N06 TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
MTD20P06 TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
MTD20P03HDL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
MTD20P06HDL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
MTD20N06V TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
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參數(shù)描述
MTD20P03HDL 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
MTD20P03HDL1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MTD20P03HDL1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MTD20P03HDLT4 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19A DPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTD20P06 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
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