參數(shù)資料
型號： MTD1N60E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM
中文描述： 1 A, 600 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 266K
代理商： MTD1N60E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1
1000
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
10
A
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.001
0
25
50
75
100
125
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
50
ID = 1 A
1
100
150
t,TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r
T
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
40
30
20
1
0.1
0.01
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
SINGLE PULSE
0.01
10
μ
s
100
μ
s
1 ms
10 ms
dc
10
0.02
0.05
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PDF描述
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