參數(shù)資料
型號： MTD1N60E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM
中文描述： 1 A, 600 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 266K
代理商： MTD1N60E
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
0
4
8
12
16
20
0
0.8
1.2
1.6
2
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
2
2.8
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
3.6
4.4
5.2
6.8
0
0.4
1.2
2
ID
Figure 2. Transfer Characteristics
0
0.2
0.6
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
1
1.6
2
0
4
8
12
16
R
0
0.2
0.6
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
1
1.4
2
5
6
7
8
9
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0
–50
0.4
1.2
2.4
0
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
200
300
400
600
1
10
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I
TJ = 25
°
C
VDS
≥
10 V
TJ = –55
°
C
100
°
C
TJ = 100
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 0 V
VGS = 10 V
VGS = 10 V
ID = 0.5 A
18
6 V
5 V
1.6
0.8
1.8
1.4
1
0.6
2.4
3.2
4
4.8
5.6
25
°
C
–55
°
C
2
0.4
0.8
1.4
1.2
8.5
7.5
6.5
5.5
0.4
0.8
1.2
VGS = 10 V
15 V
–25
0
50
25
75
100
125
150
TJ = 125
°
C
25
°
C
100
°
C
0.4
0.2
2
6
10
14
6
6.4
6
10
14
1.8
1.6
1.8
2
1.6
0.8
500
25
°
C
VGS = 10 V
7 V
R
(
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PDF描述
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