- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄224506 > MT58L128V36P1B-4 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.3 ns, PBGA119 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT58L128V36P1B-4 |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.3 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 14/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 353K |
| 代理商： | MT58L128V36P1B-4 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁當(dāng)前第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁
21
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L256L18P1_D.p65 – Rev. 10/01
2001, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM
BGA THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS NOTES
Junction to Ambient
Test conditions follow standard test methods
θ
JA
40
°C/W
1
(Airflow of 1m/s)
and procedures for measuring thermal
Junction to Case (Top)
impedance, per EIA/JESD51.
θ
JC
9
°C/W
1
Junction to Bumps
θ
JB
17
°C/W
1
(Bottom)
TQFP THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS NOTES
Thermal Resistance
Test conditions follow standard test methods
θ
JA
46
°C/W
1
(Junction to Ambient)
and procedures for measuring thermal
Thermal Resistance
impedance, per EIA/JESD51.
θ
JC
2.8
°C/W
1
(Junction to Top of Case)
NOTE: 1. This parameter is sampled.
2. Preliminary package data.
FBGA THERMAL RESISTANCE
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS NOTES
Junction to Ambient
Test conditions follow standard test methods
θ
JA
40
°C/W
1, 2
(Airflow of 1m/s)
and procedures for measuring thermal
Junction to Case (Top)
impedance, per EIA/JESD51.
θ
JC
9
°C/W
1, 2
Junction to Pins
θ
JB
17
°C/W
1, 2
(Bottom)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT58L32L36PT-7.5 | 32K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PQFP100 |
| MT58L512L18DS-7.5IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100 |
| MT58L512L18DT-10IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| MT58L512L18PB-6IT | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| MT58L512L18PS-7.5IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT58L128V36P1F-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L128V36P1F-6 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L128V36P1T-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT58L1MV18D | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 3.3V I/O, PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM |
| MT58L1MY18D | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:16Mb SYNCBURST⑩ SRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。