參數(shù)資料
型號(hào)： MT55L128V32F1
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 2.5V I/O， 128K x 32，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(2.5V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
中文描述： 2.5VI / O的128K的× 32，流量通過(guò)ZBT SRAM的電壓（2.5V輸入/輸出，4Mb的流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 13/25頁(yè)
文件大?。?/td> 451K
代理商： MT55L128V32F1
13
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Flow-Through ZBT SRAM
MT55L256L18F1_2.p65
–
Rev. 8/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
FLOW-THROUGH ZBT SRAM
PRELIMINARY
State Diagram for ZBT SRAM
DESELECT
BEGIN
READ
BURST
READ
BEGIN
WRITE
DS
DS
DS
BURST
WRITE
READ
DS
WRITE
WRITE
BURST
READ
WRITE
READ
BURST
BURST
READ
BURST
DS
WRTE
KEY:
COMMAND
DS
READ
WRITE
BURST
OPERATION
DESELECT
New READ
New WRITE
BURST READ,
BURST WRITE or
CONTINUE DESELECT
BURST
READ
WRITE
NOTE:
1. A STALL or IGNORE CLOCK EDGE cycle is not shown in the above diagram. This is because CKE# HIGH only blocks the
clock (CLK) input and does not change the state of the device.
2. States change on the rising edge of the clock (CLK).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT55L128V36F1 2.5V I/O，128K x 36，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(2.5V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L128L32P1 3.3V I/O，128K x 32，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(3.3V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L128L36P1 3.3V I/O，128K x 36，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(3.3V或輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L128V32P1 2.5V I/O，128K x 32，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(2.5V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L128V36P1 2.5V I/O，128K x 36，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(2.5V輸入/輸出,4Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT55L128V32F1T-10 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
MT55L128V36P1T-10 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:128KX36 SRAM PLASTIC TQFP 3.3V 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MT55L128V36P1T10A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
MT55L128V36P1T-6 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:128KX36 SRAM PLASTIC TQFP 3.3V
MT55L128V36P1T-7.5 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
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