- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄371150 > MT4S100T (Toshiba Corporation) UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT4S100T |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION |
| 中文描述： | 超高頻低噪聲放大器的應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | MT4S100T |
MT4S100T
3 02-05-28
|S21e|
2
-IC
1V
f=1GHz
Ta=25
℃
VCE=2V
0
5
10
15
20
25
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
I
2
|S21e|
2
-IC
1V
f=2GHz
Ta=25
℃
VCE=2V
0
5
10
15
20
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
I
2
fT-IC
1V
f=2GHz
Ta=25
℃
VCE=2V
0
5
10
15
20
25
30
35
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
T
Cre,Cob-VCB
Cob
Cre
IE=0
f=1MHz
Ta=25
℃
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.1
1
10
COLLECTOR-BASE VOLTAGE VCB(V)
R
O
PC-Ta
45
40
0
20
60
80
100
0
25
AMBIENT TEMPERATURE Ta(
℃
)
50
75
100
125
150
175
C
NF,Ga-IC
NF
f=2GHz
VCE=2V
Ta=25
℃
Ga
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
10
100
COLLECTOR CURRENT IC(mA)
N
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4S34U | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APLICATIONS. |
| MT6L57AT | VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS |
| MT6L61AT | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
| MTA1N60E | FULLY ISOLATED TMOS E-FET POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTB1N100E | TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4S100T_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF Low Noise Amplifier Application |
| MT4S100U | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION |
| MT4S101T | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF Low Noise Amplifier Application |
| MT4S101T_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF Low Noise Amplifier Application |
| MT4S102T | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:UHF-SHF Low Noise Amplifier Application |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。
