參數(shù)資料
型號(hào)： MT4LC4M4A1TG-6
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： DRAM
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文件頁(yè)數(shù)： 7/20頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： MT4LC4M4A1TG-6
7
4 Meg x 4 FPM DRAM
D49_5V.p65 – Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4 MEG x 4
FPM DRAM
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) [Vcc (MIN)
￡
Vcc
￡
Vcc (MAX)]
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
Refresh period “S” version
RAS# precharge time
RAS# to CAS# precharge time
RAS# precharge time exiting Self Refresh
READ command hold time (referenced to RAS#)
RAS# hold time
READ-WRITE cycle time
RAS# to WE# delay time
WRITE command to RAS# lead time
Transition time (rise or fall)
WRITE command hold time
WRITE command hold time (referenced to RAS#)
WE# command setup time
WRITE command pulse width
WE# hold time (CBR Refresh)
WE# setup time (CBR Refresh)
-5
-6
SYMBOL
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RPS
t
RRH
t
RSH
t
RWC
t
RWD
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WP
t
WRH
t
WRP
MIN
MAX
128
MIN
MAX
128
UNITS
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
140
30
5
90
0
13
116
67
13
2
8
38
0
5
8
8
40
5
105
0
15
140
79
15
2
10
45
0
5
10
10
16
19
50
50
18
4, 23
4, 23
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