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參數(shù)資料
| 型號： | MT4C4M4A1 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DRAM |
| 中文描述： | 內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 3/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | MT4C4M4A1 |
3
4 Meg x 4 FPM DRAM
D49_5V.p65 – Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4 MEG x 4
FPM DRAM
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM – 2K REFRESH
4,096
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
RAS#
12
12
10
NO. 2 CLOCK
GENERATOR
REFRESH
CONTROLLER
NO. 1 CLOCK
GENERATOR
V
DD
Vss
12
WE#
CAS#
10
COLUMN-
ADDRESS
BUFFER(10)
ROW-
ADDRESS
BUFFERS (12)
R
D
4,096
1,024
COLUMN
DECODER
OE#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
4
4
4
4
REFRESH
COUNTER
1,024
4,096 x 1,024 x 4
MEMORY
ARRAY
SENSE AMPLIFIERS
I/O GATING
DATA-OUT
BUFFER
DATA-IN
BUFFER
C
S
4,096
R
(
2,048
2,048
2,048
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
RAS#
11
11
11
NO. 2 CLOCK
GENERATOR
REFRESH
CONTROLLER
NO. 1 CLOCK
GENERATOR
V
DD
V
SS
11
WE#
CAS#
10
COLUMN-
ADDRESS
BUFFER(11)
ROW-
ADDRESS
BUFFERS (11)
R
D
2,048
1,024
COLUMN
DECODER
OE#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
4
4
4
4
REFRESH
COUNTER
1
R
(
R
(
1,024
4,096 x 1,024 x 4
MEMORY
ARRAY
SENSE AMPLIFIERS
I/O GATING
DATA-OUT
BUFFER
DATA-IN
BUFFER
C
S
2,048
R
(
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM – 4K REFRESH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C4M4Ax | DRAM |
| MT4LC4M4B1TG-6 | DRAM |
| MT4LC4M4A1TG-6 | DRAM |
| MT4C4M4B1TG-6 | DRAM |
| MT4C4M4A1TG-6 | DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4C4M4A1DJ-6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 4M x 4, 26 Pin, Plastic, SOJ |
| MT4C4M4A1DJ-6S | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4C4M4A1TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4C4M4A1TG-6S | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4C4M4AX | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
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