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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46V16M4 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4梅格× 4 × 4銀行DDR SDRAM內(nèi)存（四米× 4 × 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2369K |
| 代理商： | MT46V16M4 |
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25
64Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
64Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
Figure 13
READ to PRECHARGE
CK
CK#
COMMAND
6
READ
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
ADDRESS
Bank
a
,
Col
n
Bank
a
,
(
a
or
all
)
Bank
a
,
Row
READ
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
Bank
a
,
Col
n
CL = 2
tRP
tRP
NOTE
: 1. DO
n
= data-out from column
n
.
2. Burst length = 4, or an interrupted burst of 8.
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DO
n
.
4. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
5. READ to PRECHARGE equals two clocks, which allows two data pairs of data-out.
6. PRE = PRECHARGE command; ACT = ACTIVE command.
CK
CK#
COMMAND
6
ADDRESS
DQ
DQS
CL = 2.5
DQ
DQS
DO
n
DO
n
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
Bank
a
,
(
a
or
all
)
Bank
a
,
Row
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V4M16 | 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| MT46V8M8 | 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4組，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| MT46V2M32LG | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V2M32V1 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M4-1 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V16M8 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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