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參數(shù)資料
| 型號： | MT2D18 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Meg x 8 DRAM Module(5V，1M x 8 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 1梅格× 8內(nèi)存模塊（5V的，100萬× 8動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | MT2D18 |
MT2D18
DM01.pm5 – Rev. 2/95
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1995, Micron Technology, Inc.
5
MT2D18
1 MEG x 8 DRAM MODULE
OBSOLETE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
(Notes: 3, 4, 5, 6, 7, 10, 11, 16, 21) (V
CC
= +5V
±
10%)
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
Random READ or WRITE cycle time
R
A
/
S to
C
A
/
S delay time
Read command hold time (referenced to
C
A
/
S)
Read command setup time
Refresh period (1,024 cycles)
R
A
/
S precharge time
R
A
/
S to
C
A
/
S precharge time
Read command hold time (referenced to
R
A
/
S)
R
A
/
S hold time
READ WRITE cycle time
Write command to
R
A
/
S lead time
Transition time (rise or fall)
Write command hold time
Write command hold time (referenced to
R
A
/
S)
W
/
E command setup time
Write command pulse width
/
W
/
E hold time (CBR REFRESH)
/
W
/
E setup time (CBR REFRESH)
-6
-7
SYM
t
RC
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
REF
t
RP
t
RPC
t
RRH
t
RSH
t
RWC
t
RWL
t
T
t
WCH
t
WCR
t
WCS
t
WP
t
WRH
t
WRP
MIN
110
20
0
0
MAX
MIN
130
20
0
0
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
n/a
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
45
50
13
24
16
16
40
0
0
15
n/a
15
3
10
45
0
10
10
10
50
0
0
20
n/a
20
3
15
55
0
15
10
10
24
21
50
50
23
23
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MT2DT132M-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT2DT132M-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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