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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT28F016S5VG-9 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/24頁(yè) |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | MT28F016S5VG-9 |
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20
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
WRITE/ERASE CURRENT DRAIN
(0°C
￡
T
A
￡
+70°C; V
CC
= +5V ±10%; V
PP
= +5V ±10% [Note 2])
PARAMETER/CONDITION
WRITE CURRENT: V
CC
SUPPLY
WRITE CURRENT: V
PP
SUPPLY
ERASE CURRENT: V
CC
SUPPLY
ERASE CURRENT: V
PP
SUPPLY
ERASE SUSPEND CURRENT: V
CC
SUPPLY
(ERASE suspended)
ERASE SUSPEND CURRENT: V
PP
SUPPLY
(ERASE suspended)
SYMBOL
I
CC
6
I
PP
3
I
CC
7
I
PP
4
I
CC
8
MAX
35
40
30
20
10
UNITS
mA
mA
mA
mA
mA
NOTES
3
3
3
3
3, 4
I
PP
5
200
μA
RECOMMENDED DC WRITE/ERASE CONDITIONS
(0°C
￡
T
A
￡
+70°C; V
CC
= +5V ±10%)
PARAMETER/CONDITION
V
PP
WRITE/ERASE lockout voltage
V
PP
voltage during WRITE/ERASE operation
V
CC
WRITE/ERASE lockout voltage
SYMBOL
V
PPLK
V
PPH
V
LKO
MIN
–
4.5
2
MAX
1.5
5.5
–
UNITS
V
V
V
NOTES
1
2
NOTE:
1. Absolute WRITE/ERASE protection when V
PP
￡
V
PPLK
.
2. For SmartVoltage-compatible production programming, 12V V
PP
is supported for a maximum of 100 cycles and may
be connected for up to 100 cumulative hours.
3. Sampled, not tested, 100%.
4. Parameter is specified when device is not accessed. Actual current draw will be I
CC
8
(5V V
CC
) plus current of operation
being executed while the device is in suspend mode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT28F160S3 | 2 Meg x 8/1 Meg x 16 Smart 3 Flash(2 M x 8/1 M x 16閃速存儲(chǔ)器) |
| MT28F640J3 | 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器) |
| MT35212A | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT35212AE | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT35212AP | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT28F1284W18 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:1.8V Low Voltage, Extended Temperature |
| MT28F128J3 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:Q-FLASHTM MEMORY |
| MT28F128J3BS-12 ET | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F128J3BS-12 ET TR | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F128J3BS-12 MET | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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