參數(shù)資料
型號: MT28F016S5VG-9
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: 2 MEG x 8 SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
中文描述: 2邁可× 8的SMART 5偶扇區(qū)快閃記憶體
文件頁數(shù): 2/24頁
文件大?。?/td> 282K
代理商: MT28F016S5VG-9
2
2 Meg x 8 Smart 5 Even-Sectored Flash Memory
F42.p65 – Rev. 1/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
2 MEG x 8
SMART 5 EVEN-SECTORED FLASH MEMORY
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Y - Select Gates
Sense Amplifiers
Write/Erase-Bit
Compare and Verify
Addr.
Buffer/
Latch
Power
(Current)
Control
Addr.
Counter
Command
Execution
Logic
I/O
Control
Logic
V
PP
Switch/
Pump
Status
Register
Identification
Register
Y -
Decoder
X
State
Machine
A0-A20
OE#
WE#
RP#
V
CC
V
PP
DQ0-DQ7
8
21
11
10
CE#
8
Output
Buffer
I8
Buffer
Input
Data
Latch
RY/BY#
64KB Memory Block (0)
64KB Memory Block (1)
64KB Memory Block (2)
64KB Memory Block (31)
64KB Memory Block (29)
64KB Memory Block (30)
8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MT28F128J3BS-12 ET TR 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤
MT28F128J3BS-12 MET 功能描述:IC FLASH 128MBIT 120NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869