| 型號: | MSKD36-16 |
| 廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類: | 整流器 |
| 英文描述: | 36 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝: | CASE D1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/3頁 |
| 文件大小: | 319K |
| 代理商: | MSKD36-16 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG1054-11 | 23 GHz - 25 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE GUNN DIODE |
| MI5003-18 | 9.1 GHz - 9.6 GHz, GALLIUM ARSENIDE, PULSED IMPATT DIODE |
| MPG06B-HE3/54 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MQ15KP110CTR | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
| MQ15KP160E3TR | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSKD36-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 36A D1 |
| MSKD60-08 | 功能描述:DIODE MOD GPP 800V 60A SD1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標準包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復時間(trr):65ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商設備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| MSKD60-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 60A SD1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標準包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復時間(trr):65ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商設備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| MSKD60-16 | 功能描述:DIODE ARRAY 1600V 60A SD1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標準包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復時間(trr):65ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 二極管配置:2 個獨立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商設備封裝:ISOTOP? 包裝:管件 |
| MSKD60-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 60A D1 |