參數(shù)資料
型號(hào)： MSC82307
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
中文描述： 射頻
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： MSC82307
PRELIMINARY DATA
October 1992
GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
VSWR CAPABILITY 20:1 @ RATED
CONDITIONS
.
HERMETIC STRIPAC
PACKAGE
.
P
OUT
=
7.0 W MIN. WITH 9.6 dB GAIN
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.250 2LFL (S010)
hermetically sealed
DESCRIPTION
The MSC82307 is a common base hermetically
sealed silicon NPN microwave power transistor
utilizing a rugged overlay die geometry. This device
is capable of withstanding 20:1 load VSWR at
any phase angle under rated conditions.
The MSC82307 was designed for Class C ampli-
fier/oscillator applications in the 1.5 - 2.3 GHz fre-
quency range.
PIN CONNECTION
BRANDING
82307
ORDER CODE
MSC82307
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25
°
C)
Symbol
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
STG
Parameter
(T
C
≤
50C)
Value
21.4
Unit
W
Power Dissipation*
Device Current*
Collector-Supply Voltage*
1.2
26
A
V
°
C
°
C
Junction Temperature
Storage Temperature
200
65 to +200
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance*
7.0
°
C/W
*Applies only to rated RF amplifier operation
MSC82307
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
THERMAL DATA
1/3
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PDF描述
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