參數(shù)資料
型號(hào)： MSB92AWT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor(PNP通用高電壓硅晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： MSB92AWT1
MSB92WT1, MSB92AWT1
http://onsemi.com
3
C
Figure 1. DC Current Gain
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
100
0.1
10
1.0
10
1000
C
eb
@ 1MHz
Figure 2. Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.4
0.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
10
0.1
1.0
100
1.0
C
cb
@ 1MHz
V
BE(on)
@ 25
°
C, V
CE
= 10 V
V
BE(on)
@ 125
°
C, V
CE
= 10 V
V
BE(on)
@ 55
°
C, V
CE
= 10 V
V
CE(sat)
@ 25
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ 125
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ 55
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ 25
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ 125
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ 55
°
C, I
C
/I
B
= 10
Figure 3. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
120
0.1
1.0
10
100
80
60
0
h
T
J
= +125
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 10 Vdc
100
20
40
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MSB92T1 功能描述:TRANS PNP GP BIPO 300V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MSB92T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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