參數(shù)資料
型號(hào)： MSB92AWT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor(PNP通用高電壓硅晶體管)
中文描述： 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： MSB92AWT1
MSB92WT1, MSB92AWT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
300
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
300
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
= 200 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.25
A
EmitterBase Cutoff Current
(V
EB
= 3.0 Vdc, I
B
= 0)
I
EBO
0.1
A
DC Current Gain (Note 2)
MSB92WT1:
MSB92AWT1: (V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 10 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 30 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc)
h
FE1
h
FE1
h
FE2
h
FE3
25
120
40
25
200
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 2)
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
BE(sat)
0.9
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f = 20 MHz)
f
T
50
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, D.C.
≤
2%.
C
cb
6.0
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSD1819A-RT1 General Purpose Amplifier Transistor(通用放大器晶體管)
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MSG140 1 Amp Schottky Rectifier
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參數(shù)描述
MSB92AWT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MSB92T1 功能描述:TRANS PNP GP BIPO 300V SC-59 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
MSB92T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MSB92WT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MSB92WT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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