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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MSB92ASWT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor(PNP型通用高壓晶體管) |
| 中文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419-02, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | MSB92ASWT1 |
MSB92ASWT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
300
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
300
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
= 100 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
= 300 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
0.25
A
EmitterBase Cutoff Current
(V
EB
= 3.0 Vdc, I
B
= 0)
I
EBO
0.1
A
DC Current Gain (Note 2)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 10 mAdc)
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 30 mAdc)
h
FE1
h
FE2
h
FE3
120
40
25
200
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 2)
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 20 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
BE(sat)
0.9
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f = 20 MHz)
f
T
50
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 20 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, D.C.
≤
2%.
C
cb
6.0
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MSB92AWT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| MSB92T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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