參數(shù)資料
型號： MRFG35010MT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： A3935 S0P
中文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： PLASTIC, CASE 466-02, PLD-1.5, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 300K
代理商： MRFG35010MT1
MRFG35010MT1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(V
DS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
2.9
—
Adc
Off State Leakage Current
(V
GS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
< 1.0
100
μ
Adc
Off State Drain Current
(V
DS
= 12 Vdc, V
GS
= -1.9 Vdc)
I
DSO
—
0.1
1.0
mAdc
Off State Current
(V
DS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
I
DSX
—
2.0
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(V
DS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 15 mA)
V
GS(th)
-1.2
-1.0
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA)
V
GS(Q)
-1.2
-0.95
-0.7
Vdc
Power Gain
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA, f = 3.55 GHz)
G
ps
9.0
10
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
—
9
—
W
Drain Efficiency
(V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 180 mA, P
out
= 900 mW Avg.,
f = 3.55 GHz)
D
23
28
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 12 Vdc, P
out
= 900 mW Avg., I
DQ
= 180 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
—
-43
-40
dBc
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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