參數(shù)資料
型號： MRFG35010AR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 2/20頁
文件大?。?/td> 431K
代理商： MRFG35010AR1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1
Table 3. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(V
DS
= 3.5 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
2.9
—
Adc
Off State Leakage Current
(V
GS
= -0.4 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
< 1
100
μ
Adc
Off State Drain Current
(V
DS
= 12 Vdc, V
GS
= -2.2 Vdc)
I
DSO
—
0.09
1
mAdc
Off State Current
(V
DS
= 28.5 Vdc, V
GS
= -2.5 Vdc)
I
DSX
—
5
15
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(V
DS
= 3.5 Vdc, I
DS
= 15 mA)
V
GS(th)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(V
DS
= 12 Vdc, I
D
= 180 mA)
V
GS(Q)
-1.2
-0.8
-0.7
Vdc
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
(1)
V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 140 mA, P
out
= 1 W Avg., f = 3550 MHz,
Single-carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±
5 MHz Offset. PAR =
8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
9
10
—
dB
Drain Efficiency
D
23
25
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-43
-40
dBc
Typical RF Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 12 Vdc, I
DQ
= 140 mA, f = 3550 MHz
Output Power, 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
10
—
W
1. Measurements made with device in test fixture.
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PDF描述
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