參數(shù)資料
型號： MRFG35010
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
中文描述： 砷化鎵PHEMT的射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： MRFG35010
MRFG35010
7
Freescale Semiconductor
Wireless RF Product Device Data
Table 4. Class A Common Source S
Parameters at V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 1000 mA
S
11
GHz
|S
11
|
∠ φ
0.50
0.956
177.95
0.60
0.957
179.86
0.70
0.956
178.44
0.80
0.956
177.05
0.90
0.954
175.83
1.00
0.955
174.61
1.10
0.954
173.42
1.20
0.952
172.29
1.30
0.952
171.25
1.40
0.950
170.02
1.50
0.950
168.36
1.60
0.948
167.24
1.70
0.946
166.01
1.80
0.944
164.67
1.90
0.943
163.59
2.00
0.942
162.31
2.10
0.940
161.09
2.20
0.938
159.66
2.30
0.937
158.30
2.40
0.935
156.86
2.50
0.934
155.35
2.60
0.932
153.83
2.70
0.928
152.26
2.80
0.926
150.58
2.90
0.923
148.97
3.00
0.920
147.18
3.10
0.917
145.27
3.20
0.913
143.23
3.30
0.908
141.12
3.40
0.903
138.91
3.50
0.897
136.46
3.60
0.893
133.77
3.70
0.884
130.86
3.80
0.875
127.58
3.90
0.866
124.06
4.00
0.851
120.13
4.10
0.833
115.98
4.20
0.814
111.48
4.30
0.793
106.69
4.40
0.771
101.44
4.50
0.748
95.69
4.60
0.723
89.38
4.70
0.697
82.41
4.80
0.672
74.51
4.90
0.647
65.82
5.00
0.622
56.14
f
S
21
S
12
S
22
|S
21
|
5.591
4.668
4.007
3.520
3.138
2.842
2.604
2.402
2.236
2.098
2.054
1.944
1.850
1.769
1.698
1.638
1.580
1.532
1.491
1.454
1.422
1.396
1.375
1.356
1.342
1.332
1.328
1.326
1.329
1.335
1.346
1.360
1.375
1.393
1.417
1.443
1.472
1.505
1.541
1.581
1.622
1.668
1.721
1.771
1.818
1.860
∠ φ
79.60
76.30
73.21
70.18
67.20
64.30
61.65
58.87
56.13
53.34
50.41
47.63
44.77
42.06
39.29
36.53
33.69
30.84
28.03
25.19
22.38
19.54
16.68
13.80
10.91
7.87
4.88
1.73
1.48
4.80
8.26
11.89
15.61
19.50
23.55
27.75
32.06
36.63
41.44
46.57
51.82
57.33
63.32
69.70
76.56
83.67
|S
12
|
0.007
0.007
0.008
0.008
0.009
0.010
0.009
0.011
0.011
0.011
0.011
0.012
0.013
0.014
0.015
0.015
0.016
0.017
0.017
0.019
0.020
0.021
0.022
0.023
0.025
0.027
0.028
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0.032
0.034
0.036
0.039
0.042
0.045
0.048
0.052
0.056
0.060
0.065
0.071
0.076
0.082
0.089
0.096
0.103
0.110
∠ φ
15.64
23.81
23.84
26.09
30.55
28.91
31.64
31.90
36.06
33.99
32.65
32.47
37.07
34.40
35.71
37.47
35.82
35.69
35.43
34.19
34.10
35.51
33.15
30.84
31.00
29.11
28.98
27.36
25.93
24.33
22.30
19.80
17.46
15.22
13.31
10.27
7.36
4.18
1.13
3.19
7.50
11.79
16.57
22.28
28.04
33.91
|S
22
|
0.741
0.739
0.736
0.736
0.735
0.735
0.734
0.735
0.735
0.736
0.725
0.725
0.725
0.725
0.725
0.724
0.724
0.722
0.721
0.720
0.718
0.718
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∠ φ
179.71
179.15
178.75
178.29
177.85
177.42
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176.52
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175.52
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172.32
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159.09
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156.93
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145.72
144.03
142.02
139.82
137.39
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35030R5 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
MRW2001F TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93
MRW2010 TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-49
MRW3001F TRANSISTOR | BJT | NPN | FO-49
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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