參數(shù)資料
型號(hào)： MRFE6S9200HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 393K
代理商： MRFE6S9200HR3
MRFE6S9200HR3 MRFE6S9200HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 58 W Avg., and ηD = 35%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
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calculators by product.
107
106
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
28 V
IDQ = 1400 mA
f = 880 MHz
VDD = 24 V
108
32 V
200
17
22
0
100
19
20
21
400
18
300
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 14. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 50% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
68
PROBABILITY
(%)
WCDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
"5 MHz Offset.
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
Input Signal
60
110
10
(dB)
20
30
40
50
70
80
90
100
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
1.8
3.6
5.4
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
7.2
ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
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PDF描述
MRFE6S9201HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRFE6S9201HR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRFE6S9200HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9200HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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