參數(shù)資料
型號： MRFE6S9045NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大?。?/td> 579K
代理商： MRFE6S9045NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9045NR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device is
operated at V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W Avg., and
η
D
= 32%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools
(Software & Tools)/Calculators to access MTTF calculators by product.
100
23
1
0
80
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 350 mA
f = 880 MHz
T
C
= 30 C
85 C
10
22
21
19
17
70
60
50
40
30
20
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
V
DD
= 24 V
G
p
,
100
0
80
20
23
21
20
19
40
60
22
I
DQ
= 350 mA
f = 880 MHz
20
18
16
15
10
30 C
18
28 V
32 V
85 C
25 C
250
10
8
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
10
6
10
7
10
5
110
130
150
170
190
M
210
230
25 C
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PDF描述
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