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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF9030R1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 404K |
| 代理商： | MRF9030R1 |
3
MRF9030R1 MRF9030SR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
G
ps
18
19
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
37
41.5
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
—
–32.5
–28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
—
–15.5
–9
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
G
ps
—
19
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
η
—
41.5
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IMD
—
–33
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IRL
—
–14
—
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
P
1dB
—
30
—
W
Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
G
ps
—
19
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
η
—
60
—
%
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f = 945.0 MHz, VSWR = 10:1, All Phase Angles at Frequency
of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9030SR1 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9045MBR1 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9045 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9045MR1 | LEAD FREE 50V 3PHS BRUSHLESS DC MTR CTLR |
| MRF9120 | RF Power Field Effect Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF9030SR1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF904 | 功能描述:TRANS NPN 15V 30MA TO-72 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF9045 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9045GMR1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF9045GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 45W 945MHZ LDMOS TO270N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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