參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8P20160HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465H-02, 4 PIN
文件頁數(shù)： 17/17頁
文件大?。?/td> 807K
代理商： MRF8P20160HSR3
MRF8P20160HR3 MRF8P20160HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
32
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc, IDQA = 550 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
52
50
48
33
53
51
45
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
54
56
31
29
37
28
27
55
47
46
26
Ideal
Actual
30
34
35
36
1880 MHz
1900 MHz 1920 MHz
1920 MHz
1900 MHz
1880 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1880
103
50.1
122
50.9
1900
104
50.2
120
50.8
1920
104
50.2
118
50.7
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
1880
P1dB
5.14 -- j9.41
1.65 -- j5.46
1900
P1dB
7.59 -- j9.88
1.67 -- j5.43
1920
P1dB
8.90 -- j9.65
1.66 -- j5.50
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8P20160HR3 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20161HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHR5 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF8P20160HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20161HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20161HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20165WHR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20165WHR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*