參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8P20160HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465H-02, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 15/17頁(yè)
文件大?。?/td> 807K
代理商： MRF8P20160HSR3
MRF8P20160HR3 MRF8P20160HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
--20
12
18
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
17
16
10
300
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
15
14
13
0
--30
--40
--50
Figure 8. Broadband Frequency Response
0
18
1660
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQA = 550 mA
VGSB =1.6 Vdc
12
9
6
1720
GAIN
(d
B)
15
Gain
1780
1840
1900
1960
2020
2080
2140
IRL
--42
0
--7
--14
--21
--28
IRL
(dB)
3--35
1920 MHz
VDD =28 Vdc,IDQA = 550 mA, VGSB =1.6 Vdc
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth
ηD
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
1880 MHz
1900 MHz
1920 MHz
1900 MHz
1880 MHz
100
W--CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 9. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
12
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8P20160HR3 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20161HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8P20165WHR5 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF8P20160HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20161HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20161HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20165WHR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8P20165WHR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*