參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8P20140WHR3
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780-4, CASE 465M-01, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 607K
代理商： MRF8P20140WHR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P20140WHR3 MRF8P20140WHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
PA
RC
(d
B)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout = 24 Watts Avg.
--1.8
--1
--1.2
--1.4
--1.6
15
17
16.8
16.6
--35
44
42
40
38
--30
--31
--32
--33
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020 2040
36
--34
--2
IM3,
TH
IRD
O
RDER
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
(dB
c)
--29
--25
--26
--27
--28
--30
AC
PR
(d
Bc)
IM3
PARC
VDD =28 Vdc,Pout =24 W (Avg.),IDQA = 500 mA
VGSB = 1.2 Vdc, 2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, 30 MHz Carrier Spacing, Input Signal
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF
PA
RC
(d
B)
1880
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single--Carrier Output Peak--to--Average Ratio Compression
(PARC) Broadband Performance @ Pout = 24 Watts Avg.
--2
--1.6
--1.7
--1.8
--1.9
15
17
16.8
16.6
--35
43
42
41
40
--30
--31
--32
--33
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 16.4
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020 2040
39
--34
--2.1
AC
PR
(d
Bc)
PARC
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--70
--20
--30
--40
--60
1
300
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--50
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
100
VDD =28 Vdc,Pout = 24 W (PEP)
IDQA = 500 mA, VGSB =1.2 Vdc
VDD =28 Vdc,Pout =24 W (Avg.),IDQA = 500 mA
VGSB = 1.2 Vdc, 2--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1920 MHz
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PDF描述
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