參數(shù)資料
型號： MRF7S21150HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 446K
代理商： MRF7S21150HR3
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 10
Ω
Z
load
Z
source
f = 2220
MHz
f = 2060 MHz
f = 2060 MHz
f = 2220
MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1350 mA, P
out
= 44 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
2060
2.72 - j5.08
1.14 - j2.89
2080
3.10 - j5.17
1.11 - j2.75
2100
3.43 - j5.39
1.08 - j2.62
2120
3.66 - j5.74
1.04 - j2.50
2140
3.72 - j6.17
1.00 - j2.39
2160
3.59 - j6.59
0.96 - j2.28
2180
3.33 - j6.91
0.93 - j2.17
2200
2.98 - j7.10
0.89 - j2.05
2220
2.62 - j7.17
0.86 - j1.93
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Z
load
=
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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