參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S19170HSR3
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
文件大?。?/td> 408K
代理商： MRF7S19170HSR3
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo = 10 Ω
Zload
Zsource
f = 2040 MHz
f = 1880 MHz
f = 2040 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA, Pout = 50 W Avg.
f
MHz
Zsource
W
Zload
W
1880
1.338 - j7.859
0.967 - j2.868
1900
1.515 - j7.609
0.942 - j2.725
1920
1.743 - j7.432
0.920 - j2.585
1940
2.007 - j7.352
0.893 - j2.449
1960
2.249 - j7.393
0.865 - j2.313
1980
2.410 - j7.553
0.841 - j2.192
2000
2.411 - j7.788
0.820 - j2.073
2020
2.244 - j7.995
0.802 - j1.957
2040
1.966 - j8.101
0.779 - j1.834
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S19210HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S21080HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S21080HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S21110HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF7S21110HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF7S19210HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19210HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19210HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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