參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S19170HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大小： 415K
代理商： MRF7S19170HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
p
,
100
13
18
0
14
15
16
28 V
I
DQ
= 1400 mA
f = 1960 MHz
300
V
DD
= 24 V
32 V
250
10
9
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
8
10
7
10
6
110
130
150
170
190
M
2
)
210
230
17
200
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 14. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 50% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
P
WCDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
5 MHz Offset.
Input Signal
Output Signal
60
110
10
(
20
30
40
50
70
80
90
100
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
1.8
3.6
5.4
9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
7.2
ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
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PDF描述
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38010H RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF7S19170HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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