參數(shù)資料
型號： MRF7S19100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大?。?/td> 544K
代理商： MRF7S19100NBR1
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
70
10
1
100
40
50
10
30
20
60
7th Order
5th Order
3rd Order
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 9. Output Peak-to-Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
1
3
5
30
Actual
Ideal
0
2
4
O
P
3 dB = 47 W
300
14
20
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1000 mA
f = 1960 MHz
T
C
= 30 C
25 C
85 C
30 C
25 C
85 C
10
1
19
18
17
16
15
50
40
30
20
10
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
10
55
5
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 100 W (PEP), I
DQ
= 1000 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz
IM3U
10
15
20
25
40
45
1
100
I
20
40
200
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
50
30
35
IM3L
IM5U
IM5L
IM7L
IM7U
50
60
100
20
50
45
40
35
30
25
η
D
,
D
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA
f = 1960 MHz, Input PAR = 7.5 dB
1 dB = 25 W
2 dB = 35 W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S19170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38010H RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF7S19100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19120NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 36W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19120NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF7S19170HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*