參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S18125BHR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大小： 471K
代理商： MRF7S18125BHR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18125BHR3 MRF7S18125BHSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
500
12
24
20
16
0
10
1
820
60
40
30
0
10
30
_C
85
_C
Figure 13. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(%
rms)
TC = 25_C
EVM
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1100 mA
f = 1960 MHz, EDGE Modulation
14
19
TC = 30_C
25
_C
85
_C
18
17
16
15
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Power Gain versus Frequency
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc
Pout = 125 W CW
IDQ = 1100 mA
4
100
50
30
_C
25
_C
85
_C
250
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 15. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W CW, and ηD = 55%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
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calculators by product.
107
106
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
108
1930
1940
1950
1960
1970
1980
1990
ηD
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S19080HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF7S18125BHSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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