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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7P20040HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S-4, CASE 465H-02, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 488K |
| 代理商： | MRF7P20040HSR3 |
MRF7P20040HR3 MRF7P20040HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
1880
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 10 Watts Avg.
--22
--14
--16
--18
--20
18.5
18
--38
46
44
42
40
--28
--30
--32
--34
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
17
16
15
14
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020 2040
38
--36
--24
PARC
PA
RC
(d
B)
--2.6
--1.8
--2
--2.2
--2.4
--2.8
AC
PR
(d
Bc)
VDD =32 Vdc,Pout =10 W (Avg.)
IDQA = 150 mA, VGSB =1.5 Vdc
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--60
--10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD =32 Vdc,Pout = 15 W (PEP), IDQA = 150 mA
VGSB = 1.5 Vdc, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2017.5 MHz
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
6
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
3
912
24
48
44
40
36
32
28
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--1 dB = 5.48 W
--2 dB = 7.64 W
--3 dB = 10.07 W
15
VDD =32 Vdc,IDQA = 150 mA
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--38
--26
--28
--30
--34
--32
--36
18.5
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
18
17.5
17
16.5
16
15.5
Gps
17.5
16.5
15.5
14.5
13.5
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @
0.01% Probability on CCDF
VGSB = 1.5 Vdc, f = 2017.5 MHz
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF
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