參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V4300NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大小： 816K
代理商： MRF6V4300NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 10. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
VDD =20 V
25 V
400
16
23
0
200
50
18
17
100
150
21
20
22
IDQ = 900 mA
f = 450 MHz
35 V
40 V
19
250
300
350
45 V
40
35
60
15
25_C
TC =--30_C
85_C
25
50
45
40
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 11. Power Output versus Power Input
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
VDD =50 Vdc
IDQ = 900 mA
f = 450 MHz
20
30
55
18
25
10
80
24
22
20
70
60
50
40
30
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
23
21
19
100
500
25_C
TC =--30_C
85_C
Gps
VDD =50 Vdc
IDQ = 900 mA
f = 450 MHz
25_C
--30_C
30 V
50 V
35
250
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD =50 Vdc,Pout = 300 W, and ηD = 60%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
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calculators by product.
108
107
105
110
130
150
170
190
MTTF
(H
OU
RS
)
210
230
106
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V4300NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6VP121KHR6 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP121KHSR6 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP21KHR6 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6VP2600HR6 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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