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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6V3090NBR5 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4 |
| 文件頁數(shù)： | 5/17頁 |
| 文件大小： | 928K |
| 代理商： | MRF6V3090NBR5 |
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6V4300NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF6V4300NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF6VP121KHR6 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6VP121KHSR6 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6VP21KHR6 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6V3090NBR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF Series 470 - 860 MHz 90 W 50 V N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6V3090NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6V3090NR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6V4300NBR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6V4300NBR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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