參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V2150NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
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代理商： MRF6V2150NBR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 10. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
p
,
V
DD
= 20 V
25
V
200
14
26
0
50
18
16
100
150
24
22
I
DQ
= 450 mA
f = 220 MHz
30
V
35
V
40
V
50
V
20
45
V
35
35
55
10
25 C
T
C
= 30 C
85 C
25
15
50
45
40
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 11. Power Output versus Power Input
P
o
,
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 450 mA
f = 220 MHz
20
30
21
28
5
10
80
10
26
24
70
60
50
40
30
20
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
p
,
η
D
D
η
D
27
25
23
100
200
25 C
T
C
= 30 C
85 C
85 C
G
ps
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 450 mA
f = 220 MHz
25 C
30 C
22
250
10
8
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at V
DD
= 50 Vdc, P
out
= 150 W CW, and
η
D
= 68.3%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu
lators by product.
10
7
10
6
10
5
110
130
150
170
190
M
210
230
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6VP11KHR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF7S18170H RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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參數(shù)描述
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MRF6V2150NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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