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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S9130HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 486K |
| 代理商： | MRF6S9130HSR3 |
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
ACPR
(dBc)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
0
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
VDD = 28 Vdc, Pout = 130 W (PEP), IDQ = 950 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
50
1
100
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
30
40
35
30
40
20
45
50
1
10
100
10
VDD = 28 Vdc, IDQ = 950 mA, f = 880 MHz
NCDMA IS95, Pilot, Sync, Paging
Traffic Codes 8 Through 13
37
56
P3dB = 52.54 dBm (179.47 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 950 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 880 MHz
55
54
52
50
33
32
35
34
36
Actual
Ideal
P1dB = 51.8 dBm (151.36 W)
55.5
51
53
31
300
13
20
1
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 950 mA
f = 880 MHz
100
10
19
18
17
16
15
60
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Gps
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
ηD
Gps
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 12 V
16 V
250
14
20
0
200
50
16
15
100
150
18
17
19
IDQ = 950 mA
f = 880 MHz
50
55
ηD
ACPR
20 V
24 V
28 V
32 V
10
54.5
53.5
52.5
51.5
50.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
150
14
50
19.5
18.5
17.5
16.5
15.5
14.5
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