參數(shù)資料
型號： MRF6S9060MR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： PLASTIC, CASE 1265-08, 2 PIN
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大小： 642K
代理商： MRF6S9060MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
22
1
0
80
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 450 mA
f = 880 MHz
TC = 30_C
30
_C
85
_C
10
21.5
21
20
19
70
60
50
40
30
20
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 12 V
16 V
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
140
10
22
080
20
21
17
16
15
14
13
40
60
19
18
20
IDQ = 450 mA
f = 880 MHz
20.5
19.5
18.5
18
10
25
_C
25
_C
85
_C
10
12
11
30
50
70
90 100 110 120 130
20 V
24 V
28 V
32 V
210
109
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
108
107
106
MTTF
FACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
90
110
130
150
170
190
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
100
120
140
160
180
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9060NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S9125MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9125MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S9125NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S9060N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S9060N - Bulk
MRF6S9060NBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9060NR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9125 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*