參數(shù)資料
型號： MRF6S9060MR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： PLASTIC, CASE 1265-08, 2 PIN
文件頁數(shù)： 14/16頁
文件大?。?/td> 642K
代理商： MRF6S9060MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
10
80
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD = 28 Vdc, IDQ = 450 mA, f1 = 880 MHz
f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
300
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
50
60
70
100
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
70
0
0.05
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
VDD = 28 Vdc, Pout = 60 W (PEP)
IDQ = 450 mA, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
5th Order
10
20
30
40
50
60
1
300
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
34
56
23
P3dB = 50 dBm (150 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 450 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
54
52
50
48
44
24
26
25
28
27
31
29
Actual
Ideal
P1dB = 49.1 dBm (100 W)
55
53
49
51
47
30
32
33
22
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
5
85
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
55
25
45
35
45
25
55
5
75
110
65
15
ALT1
ηD
Gps
TC = 25_C
85
_C
ACPR
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 450 mA
f = 880 MHz, NCDMA IS95 Pilot,
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
AL
T1,
CHANNEL
POWER
(dBc)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
0.1
100
3rd Order
46
45
30
_C
25
_C
25
_C
30
_C
25
_C
85
_C
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PDF描述
MRF6S9060NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S9125MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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