參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S27015GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/17頁
文件大小： 552K
代理商： MRF6S27015GNR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S27015NR1 MRF6S27015GNR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
60
1
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 15 W (PEP)
I
DQ
= 160 mA
IM3U
40
45
50
100
I
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
65
15
1
40
50
10
30
20
60
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
P
in
, INPUT POWER (dBm)
36
50
27
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 160 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on), 1% Duty Cycle
f = 2600 MHz
48
46
44
42
40
28
30
29
32
31
35
33
Actual
Ideal
49
47
43
45
41
34
26
P
o
,
P6dB = 44.3 dBm (27 W)
A
Figure 10. Single-Carrier W-CDMA ACPR,
ALT1, Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
5
65
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
20
25
25
20
35
15
40
50
10
45
10
G
ps
η
D
η
D
,
p
,
7th Order
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 2595 MHz, f2 = 2605 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
5th Order
3rd Order
30
35
25
IM3L
IM5U
IM5L
IM7L
IM7U
P3dB = 43.7 dBm (23 W)
P1dB = 43 dBm (20 W)
35
30
45
40
1
30
55
60
ACPR
ALT1
55
45
35
25
55
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2600 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 160 mA, f = 2600 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
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PDF描述
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